ITO靶材是一种N型半导体材料，具有高的导电率，优异的可见光透过率，由氧化铟和氧化锡粉末按照一定比例混合后，经过一系列的生产工艺加工成型，再高温烧结形成的黑灰色陶瓷半导体材料。ITO靶材的烧结技术主要由以下几种：常压烧结法、热压法、热等静压法（HIP）、微波烧结法、放电等离子烧结法等。
ITO旋转靶采用常压烧结工艺，绑定在背管上制得，尺寸及比例根据客户要求定制。
ITO平面靶根据尺寸大小，一般采用常压烧结和热等静压工艺，绑定在背板上制得，尺寸及比例根据客户要求定制。
纯度：99.99%；电阻率（20°C）：≤ 1.8Ω.cm；失氧率：≤0.5%；
常用比例：In2O3:SnO2=90:10（wt%）、In2O3:SnO2=95:5（wt%）、In2O3:SnO2=97:3（wt%）。
应用领域：平板显示器、太阳能电池、集成电路、磁记录和光记录。
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